Numéro de produit du fabricant:
NTLJS4159NT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTLJS4159NT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Description détaillée:
N-Channel 30 V 3.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventaire:
12856163
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SOUMETTRE
NTLJS4159NT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1045 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-WDFN (2x2)
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
NTLJS41
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
ONSONSNTLJS4159NT1G
2156-NTLJS4159NT1G
2156-NTLJS4159NT1G-ONTR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PMPB33XN,115
FABRICANT
NXP USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
141074
NUMÉRO DE PIÈCE
PMPB33XN,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.09
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FABRICANT
onsemi
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PRIX UNITAIRE
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