Numéro de produit du fabricant:
PMPB33XN,115
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PMPB33XN,115-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6
Description détaillée:
N-Channel 30 V 4.3A (Ta) 1.5W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Inventaire:
141074 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947636
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SOUMETTRE
PMPB33XN,115 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
47mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
505 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta), 8.3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1010B-6
Emballage / Caisse
6-XFDFN Exposed Pad
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,378
Autres noms
NEXNXPPMPB33XN,115
2156-PMPB33XN,115
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTTFS4930NTAG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FDI038AN06A0
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
CMS100N04H8-HF
MOSFET N-CH 40V 100A DFN5X6
