Numéro de produit du fabricant:
NTLJS4114NT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTLJS4114NT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Description détaillée:
N-Channel 30 V 3.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventaire:
6264 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12938958
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTLJS4114NT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
µCool™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
650 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-WDFN (2x2)
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
NTLJS4114
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
NTLJS4114NT1GOSTR
NTLJS4114NT1G-DG
ONSONSNTLJS4114NT1G
NTLJS4114NT1GOSDKR
NTLJS4114NT1GOSCT
2156-NTLJS4114NT1G-OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RJK0354DSP-00#J0
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
NTHS5443T1
MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
NVMFS5C460NWFT1G
MOSFET N-CH 40V 19A/71A 5DFN
