Numéro de produit du fabricant:
NTB52N10T4G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTB52N10T4G-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 52A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12841344
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SOUMETTRE
NTB52N10T4G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
52A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3150 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 178W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
NTB52
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
NTB52N10T4GOSTR
NTB52N10T4GOSDKR
NTB52N10T4GOSCT
NTB52N10T4GOS
NTB52N10T4GOS-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
HUF75639S3ST
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
8245
NUMÉRO DE PIÈCE
HUF75639S3ST-DG
PRIX UNITAIRE
1.19
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