Numéro de produit du fabricant:
NVD5863NLT4G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVD5863NLT4G-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 14.9A (Ta), 82A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
12841372
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SOUMETTRE
NVD5863NLT4G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14.9A (Ta), 82A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.1mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3850 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
NVD586
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
NVD5863NLT4G-VF01CT
NVD5863NLT4G-VF01TR
NVD5863NLT4G-VF01DKR-DG
ONSONSNVD5863NLT4G
NVD5863NLT4G-DG
NVD5863NLT4GOSCT
NVD5863NLT4G-VF01DKR
NVD5863NLT4G-VF01
NVD5863NLT4G-VF01TR-DG
2156-NVD5863NLT4G
NVD5863NLT4GOSTR
NVD5863NLT4G-VF01CT-DG
NVD5863NLT4GOSDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD90N06S4L06ATMA2
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
3430
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
PRIX UNITAIRE
0.52
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0
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
1.14
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PRIX UNITAIRE
0.61
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