Numéro de produit du fabricant:
HUF75639S3ST
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HUF75639S3ST-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Description détaillée:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
8245 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947317
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
HUF75639S3ST Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UltraFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
56A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
235
Autres noms
FAIFSCHUF75639S3ST
2156-HUF75639S3ST
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMC7660S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
PHB21N06LT,118
NOW NEXPERIA PHB21N06LT - 19A, 5
IRF6662TRPBF
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
