Numéro de produit du fabricant:
HUF76639S3ST
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HUF76639S3ST-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
1 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12838529
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SOUMETTRE
HUF76639S3ST Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
UltraFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
51A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
26mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
180W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
HUF76639
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
HUF76639S3STFSCT
HUF76639S3STFSDKR
HUF76639S3ST-DG
HUF76639S3STFSTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PHB47NQ10T,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
16433
NUMÉRO DE PIÈCE
PHB47NQ10T,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.72
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Nexperia USA Inc.
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PSMN034-100BS,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.51
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PSMN016-100BS,118-DG
PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
0.74
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