Numéro de produit du fabricant:
FCMT199N60
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCMT199N60-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Description détaillée:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount Power88
Inventaire:
18529 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12838531
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SOUMETTRE
FCMT199N60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SuperFET® II
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
199mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2950 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Power88
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN
Numéro de produit de base
FCMT199
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
ONSONSFCMT199N60
FCMT199N60CT
FCMT199N60TR
2156-FCMT199N60-OS
FCMT199N60DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPL60R185P7AUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
5980
NUMÉRO DE PIÈCE
IPL60R185P7AUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.15
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IPL60R185C7AUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.29
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
1.52
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PRIX UNITAIRE
1.33
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PRIX UNITAIRE
1.29
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