Numéro de produit du fabricant:
BUK9629-100B,118
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK9629-100B,118-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 46A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
9372 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12921165
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BUK9629-100B,118 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
46A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
27mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4360 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
157W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
BUK9629
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
568-5866-1
568-5866-2
BUK9629100B118
5202-BUK9629-100B,118TR
1727-4716-6
NEXNEXBUK9629-100B,118
BUK9629-100B /T3-DG
BUK9629-100B /T3
1727-4716-1
1727-4716-2
BUK9629-100B,118-DG
568-5866-2-DG
2156-BUK9629-100B,118-NEX
934057743118
568-5866-1-DG
568-5866-6-DG
568-5866-6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DI9942T
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
FDC6392S
MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
IPB80N06S2H5AUMA1
IC MOSFET N-CH TO263-3