Numéro de produit du fabricant:
FQP13N50C_F105
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQP13N50C_F105-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12838692
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SOUMETTRE
FQP13N50C_F105 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2055 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
195W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FQP1
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB13N50APBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1693
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB13N50APBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.46
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
FQP2NA90
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
FDP2710-F085
MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
FDPF5N50NZF
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
