FDP2710-F085
Numéro de produit du fabricant:

FDP2710-F085

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDP2710-F085-DG

Description:

MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 250 V 4A (Ta) 403W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

12838694
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SOUMETTRE

FDP2710-F085 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
47mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5690 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
403W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP2710

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800
Autres noms
FDP2710_F085
FDP2710_F085-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP50N25T
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
533
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP50N25T-DG
PRIX UNITAIRE
2.35
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP76N25T
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
3
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP76N25T-DG
PRIX UNITAIRE
2.71
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB4332PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
3028
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB4332PBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.72
TYPE DE SUBSTITUT
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