FCB11N60FTM
Numéro de produit du fabricant:

FCB11N60FTM

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FCB11N60FTM-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

12838697
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FCB11N60FTM Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
SuperFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1490 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FCB11

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800
Autres noms
FCB11N60FTMDKR
FCB11N60FTMCT
FCB11N60FTMTR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA12N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA12N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
2.28
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
R6011ENJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
R6011ENJTL-DG
PRIX UNITAIRE
1.56
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
FCB11N60TM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
135
NUMÉRO DE PIÈCE
FCB11N60TM-DG
PRIX UNITAIRE
1.43
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2210
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.86
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
SPB11N60C3ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2703
NUMÉRO DE PIÈCE
SPB11N60C3ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.53
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

FCP099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

onsemi

FDS6670AS

MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC

onsemi

FDMC86248

MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33

onsemi

FDD86250

MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK