FQB7N80TM_AM002
Numéro de produit du fabricant:

FQB7N80TM_AM002

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQB7N80TM_AM002-DG

Description:

MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

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SOUMETTRE

FQB7N80TM_AM002 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1850 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.13W (Ta), 167W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FQB7

Informations supplémentaires

Forfait standard
800

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STB7NK80ZT4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
4410
NUMÉRO DE PIÈCE
STB7NK80ZT4-DG
PRIX UNITAIRE
1.21
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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