Numéro de produit du fabricant:
STB9NK80Z
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB9NK80Z-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 800 V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12881022
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SOUMETTRE
STB9NK80Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SuperMESH™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1138 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB9
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-13936-6
497-13936-1
STB9NK80Z-DG
497-13936-2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFA7N80P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
257
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFA7N80P-DG
PRIX UNITAIRE
1.67
TYPE DE SUBSTITUT
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