Numéro de produit du fabricant:
AOW66616
Product Overview
Fabricant:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AOW66616-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 33A/140A TO262
Description détaillée:
N-Channel 60 V 33A (Ta), 140A (Tc) 6.2W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-262
Inventaire:
12849645
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
AOW66616 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
Tube
Série
AlphaSGT™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
33A (Ta), 140A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2870 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6.2W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
AOW666
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
5202-AOW66616
785-1822
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDD6690A
MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
AOW418
MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO262
IRL610A
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3
