Numéro de produit du fabricant:
FDP8870
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP8870-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Description détaillée:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12849838
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SOUMETTRE
FDP8870 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Ta), 156A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5200 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
160W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP88
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
488-FDP8870
2156-FDP8870-OS
FAIFSCFDP8870
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R3-30PL,127
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4699
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R3-30PL,127-DG
PRIX UNITAIRE
0.72
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