Numéro de produit du fabricant:
PSMN3R4-30PL,127
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN3R4-30PL,127-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
7994 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12828896
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SOUMETTRE
PSMN3R4-30PL,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3907 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
114W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
PSMN3R4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
934064004127
PSMN3R4-30PL,127-DG
568-7514-5
5202-PSMN3R4-30PL,127TR
2156-PSMN3R4-30PL,127-1727
1727-5895
PSMN3R430PL127
568-7514-5-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP80N03S4L03AKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP80N03S4L03AKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.18
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425
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PRIX UNITAIRE
0.53
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QUANTITÉ DISPONIBLE
21172
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PRIX UNITAIRE
1.69
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PRIX UNITAIRE
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