Numéro de produit du fabricant:
FDS6162N7
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS6162N7-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventaire:
12849841
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SOUMETTRE
FDS6162N7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
23A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5521 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO FLMP
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Numéro de produit de base
FDS61
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDS6162N7CT
FDS6162N7TR-NDR
FDS6162N7TR
FDS6162N7DKR
FDS6162N7_NLTR
FDS6162N7_NLTR-DG
FDS6162N7_NLCT
FDS6162N7_NL
FDS6162N7_NLCT-DG
FDS6162N7CT-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
