Numéro de produit du fabricant:
FDD8882
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD8882-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
Description détaillée:
N-Channel 30 V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
343 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12847791
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SOUMETTRE
FDD8882 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12.6A (Ta), 55A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1260 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
55W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD888
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD8882DKR
ONSONSFDD8882
FDD8882TR
FDD8882-DG
2156-FDD8882-OS
2832-FDD8882TR
FDD8882CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD30N03S4L14ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
18945
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
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5130
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.48
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PRIX UNITAIRE
0.26
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PRIX UNITAIRE
0.47
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