IPD70N03S4L04ATMA1
Numéro de produit du fabricant:

IPD70N03S4L04ATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPD70N03S4L04ATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Description détaillée:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventaire:

5130 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12800214
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SOUMETTRE

IPD70N03S4L04ATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 30µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
68W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3-11
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD70

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
IPD70N03S4L04
IPD70N03S4L04ATMA1DKR
2156-IPD70N03S4L04ATMA1
IPD70N03S4L04ATMA1TR
IPD70N03S4L-04DKR-DG
INFINFIPD70N03S4L04ATMA1
IPD70N03S4L-04CT-DG
IPD70N03S4L-04-DG
IPD70N03S4L-04CT
IPD70N03S4L-04TR-DG
SP000274986
IPD70N03S4L-04
IPD70N03S4L-04TR
IPD70N03S4L04ATMA1CT
IPD70N03S4L-04DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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