Numéro de produit du fabricant:
IPD30N03S4L14ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Description détaillée:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventaire:
18945 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12801248
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SOUMETTRE
IPD30N03S4L14ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
13.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
980 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
31W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3-11
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD30N03
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
IPD30N03S4L-14DKR
IPD30N03S4L-14TR
IPD30N03S4L-14DKR-DG
2156-IPD30N03S4L14ATMA1
SP000275919
IPD30N03S4L14ATMA1TR
IPD30N03S4L-14-DG
IPD30N03S4L14ATMA1DKR
INFINFIPD30N03S4L14ATMA1
IPD30N03S4L-14CT
IPD30N03S4L-14CT-DG
IPD30N03S4L-14TR-DG
IPD30N03S4L14
IPD30N03S4L-14
IPD30N03S4L14ATMA1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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