Numéro de produit du fabricant:
FDD6N25TF
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD6N25TF-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12846297
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SOUMETTRE
FDD6N25TF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UniFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD6
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
FDD6N25TFDKR
FDD6N25TFTR
FDD6N25TFCT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF624SPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1814
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF624SPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.81
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220NTRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
19780
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220NTRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.29
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220NTRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
16111
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR220NTRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.29
TYPE DE SUBSTITUT
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