Numéro de produit du fabricant:
FDN5632N-F085
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDN5632N-F085-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventaire:
55416 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12846305
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDN5632N-F085 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
82mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
475 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
FDN5632
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FDN5632N_F085TR
FDN5632N_F085DKR
FDN5632N_F085CT-DG
FDN5632N_F085TR-DG
FDN5632N_F085
FDN5632N-F085CT
FDN5632N-F085TR
FDN5632NF085
FDN5632N-F085DKR
FDN5632N_F085DKR-DG
FDN5632N_F085CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSZ023N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
AOB11S65L
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
AO7408L
MOSFET N-CH 20V 2A SC70-6
