FDMC86160ET100
Numéro de produit du fabricant:

FDMC86160ET100

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDMC86160ET100-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Description détaillée:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 43A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33

Inventaire:

9913 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12846304
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDMC86160ET100 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Ta), 43A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1290 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 65W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Power33
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
FDMC86160

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDMC86160ET100CT
FDMC86160ET100TR
FDMC86160ET100DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

FDN5632N-F085

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

infineon-technologies

BSZ023N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON

alpha-and-omega-semiconductor

AOB11S65L

MOSFET N-CH 650V 11A TO263

alpha-and-omega-semiconductor

AO7408L

MOSFET N-CH 20V 2A SC70-6