Numéro de produit du fabricant:
FDD6030L
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD6030L-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 12A/50A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 3.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12846161
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SOUMETTRE
FDD6030L Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1230 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.2W (Ta), 56W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD6030
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD6030LCT
2832-FDD6030L-488
FDD6030L-DG
2832-FDD6030LTR
FDD6030LTR
FDD6030LDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD30N03S4L14ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
18945
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
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