FDD86250
Numéro de produit du fabricant:

FDD86250

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDD86250-DG

Description:

MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaire:

1640 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12838703
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SOUMETTRE

FDD86250 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2110 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 132W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD862

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD86250-DG
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IPD200N15N3GATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
51180
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD200N15N3GATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.19
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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