Numéro de produit du fabricant:
SPB11N60C3ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SPB11N60C3ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventaire:
2703 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12806600
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SOUMETTRE
SPB11N60C3ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SPB11N60
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SPB11N60C3
SPB11N60C3ATMA1TR
SPB11N60C3INDKR
SPB11N60C3XTINTR-DG
SPB11N60C3XTINTR
SPB11N60C3ATMA1DKR
SPB11N60C3INDKR-DG
SPB11N60C3XT
SPB11N60C3INCT-NDR
SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3INTR
SPB11N60C3XTINCT-DG
SPB11N60C3INTR-NDR
SPB11N60C3ATMA1CT
SP000013519
SPB11N60C3INCT-DG
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3INTR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA14N60P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
235
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA14N60P-DG
PRIX UNITAIRE
2.12
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
R6011ENJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
R6011ENJTL-DG
PRIX UNITAIRE
1.56
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13NM60N
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
1000
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13NM60N-DG
PRIX UNITAIRE
2.21
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FCB11N60TM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
135
NUMÉRO DE PIÈCE
FCB11N60TM-DG
PRIX UNITAIRE
1.43
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2210
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.86
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IRL3714Z
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
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MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
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MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
