Numéro de produit du fabricant:
PSMN2R8-40BS,118
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN2R8-40BS,118-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
6867 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947347
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SOUMETTRE
PSMN2R8-40BS,118 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4491 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
211W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
333
Autres noms
2156-PSMN2R8-40BS,118
NEXNEXPSMN2R8-40BS,118
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PMN30UNE115
NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN
FDS6692A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
PHB110NQ08T,118
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
