Numéro de produit du fabricant:
FDS6692A
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS6692A-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Description détaillée:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
1731 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947363
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SOUMETTRE
FDS6692A Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1610 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.47W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
582
Autres noms
2156-FDS6692A
FAIFSCFDS6692A
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
PHB110NQ08T,118
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
PMPB85ENEA/F,115
PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL
