Numéro de produit du fabricant:
SI3443DV
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI3443DV-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
Description détaillée:
P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventaire:
27142 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947366
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SOUMETTRE
SI3443DV Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1079 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Micro6™(TSOP-6)
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,758
Autres noms
ONSONSSI3443DV
2156-SI3443DV
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PMPB85ENEA/F,115
PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL
FQI4N90TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
IRFB38N20DPBF
IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
