NX3008NBKMB315
Numéro de produit du fabricant:

NX3008NBKMB315

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NX3008NBKMB315-DG

Description:

NOW NEXPERIA NX3008NBKMB SMALL S
Description détaillée:
N-Channel 30 V 530mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3

Inventaire:

12947544
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SOUMETTRE

NX3008NBKMB315 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
530mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
680 pC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1006B-3
Emballage / Caisse
SC-101, SOT-883

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
9,552
Autres noms
2156-NX3008NBKMB315
NEXNXPNX3008NBKMB315

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
comchip-technology

CMS10P10D-HF

MOSFET P-CH 100V 10A DPAK

onsemi

NTMFD001N03P9

POWER MOSFET, N-CHANNEL POWERTRE

fairchild-semiconductor

FDME820NZT

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

stmicroelectronics

STS9P2UH7

MOSFET P-CH 20V 9A 8SO