STS9P2UH7
Numéro de produit du fabricant:

STS9P2UH7

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STS9P2UH7-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 9A 8SO
Description détaillée:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

12947552
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SOUMETTRE

STS9P2UH7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
STripFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2390 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.7W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
STS9P

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
-497-15155-6
497-15155-1
497-15155-2
-497-15155-2
-497-15155-1
497-15155-6

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
TSM180P03CS RLG
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
4996
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM180P03CS RLG-DG
PRIX UNITAIRE
0.20
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
DMP2022LSS-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
37400
NUMÉRO DE PIÈCE
DMP2022LSS-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.22
TYPE DE SUBSTITUT
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