FDME820NZT
Numéro de produit du fabricant:

FDME820NZT

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDME820NZT-DG

Description:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée:
N-Channel 20 V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin

Inventaire:

9500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947551
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SOUMETTRE

FDME820NZT Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
865 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Emballage / Caisse
6-PowerUFDFN

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
760
Autres noms
FAIFSCFDME820NZT
2156-FDME820NZT

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
stmicroelectronics

STS9P2UH7

MOSFET P-CH 20V 9A 8SO

nxp-semiconductors

PMN40ENE115

NOW NEXPERIA PMN40ENE SMALL SIGN

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MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK