Numéro de produit du fabricant:
BUK6E4R0-75C,127
Product Overview
Fabricant:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK6E4R0-75C,127-DG
Description:
NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75
Description détaillée:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
19992 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996495
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BUK6E4R0-75C,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15450 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
306W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
273
Autres noms
2156-BUK6E4R0-75C,127-954
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
RW4E065GNTCL1
NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
IRF644B-FP001
IRF644B - DISCRETE MOSFET
PMZ1000UN,315
NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA
