Numéro de produit du fabricant:
PSMN8R7-80PS,127
Product Overview
Fabricant:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN8R7-80PS,127-DG
Description:
NEXPERIA PSMN8R7 - N-CHANNEL 80
Description détaillée:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
6806 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996518
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SOUMETTRE
PSMN8R7-80PS,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3346 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
170W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
313
Autres noms
2156-PSMN8R7-80PS,127-954
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
PHB29N08T,118
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