Numéro de produit du fabricant:
IRF644B-FP001
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF644B-FP001-DG
Description:
IRF644B - DISCRETE MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
636 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996510
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SOUMETTRE
IRF644B-FP001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
139W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
151
Autres noms
2156-IRF644B-FP001-600039
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PMZ1000UN,315
NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA
PSMN8R7-80PS,127
NEXPERIA PSMN8R7 - N-CHANNEL 80
PHB29N08T,118
NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0
