Numéro de produit du fabricant:
BUK6607-55C,118
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK6607-55C,118-DG
Description:
NOW NEXPERIA BUK6607-55C - 100A,
Description détaillée:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946353
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SOUMETTRE
BUK6607-55C,118 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5160 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
158W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Autres noms
2156-BUK6607-55C,118
NEXNXPBUK6607-55C,118
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
