Numéro de produit du fabricant:
FDP3672
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP3672-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Description détaillée:
N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
9651 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946356
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SOUMETTRE
FDP3672 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
105 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.9A (Ta), 41A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
33mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1670 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
135W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
328
Autres noms
2156-FDP3672
FAIFSCFDP3672
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF9240
HEXFET POWER MOSFET
FDD6296
MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
AUIRL1404ZS
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
