IRF9240
Numéro de produit du fabricant:

IRF9240

Product Overview

Fabricant:

International Rectifier

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF9240-DG

Description:

HEXFET POWER MOSFET
Description détaillée:
P-Channel 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)

Inventaire:

11092 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946363
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SOUMETTRE

IRF9240 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
580mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-204AA (TO-3)
Emballage / Caisse
TO-204AA, TO-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
54
Autres noms
IRFIRFIRF9240
2156-IRF9240

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
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