Numéro de produit du fabricant:
IV1Q12160T4
Product Overview
Fabricant:
Inventchip
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IV1Q12160T4-DG
Description:
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 138W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventaire:
106 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12974633
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SOUMETTRE
IV1Q12160T4 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Inventchip Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
195mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.9V @ 1.9mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+20V, -5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
885 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
138W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
4084-IV1Q12160T4
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Certification DIGI
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