Numéro de produit du fabricant:
NTMTSC4D2N10GTXG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMTSC4D2N10GTXG-DG
Description:
100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Description détaillée:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 178A (Tc) 3.9W (Ta), 267W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Inventaire:
2655 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12974644
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SOUMETTRE
NTMTSC4D2N10GTXG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Ta), 178A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 450µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
159 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10450 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.9W (Ta), 267W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TDFNW (8.3x8.4)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
488-NTMTSC4D2N10GTXGDKR
488-NTMTSC4D2N10GTXGCT
488-NTMTSC4D2N10GTXGTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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