Numéro de produit du fabricant:
PJD35P03_L2_00001
Product Overview
Fabricant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PJD35P03_L2_00001-DG
Description:
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée:
P-Channel 30 V 8.4A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
2203 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12974649
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SOUMETTRE
PJD35P03_L2_00001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.4A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
19mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1169 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
PJD35
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
3757-PJD35P03_L2_00001TR
3757-PJD35P03_L2_00001CT
3757-PJD35P03_L2_00001DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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