Numéro de produit du fabricant:
IRF6662TRPBF
Product Overview
Fabricant:
International Rectifier
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6662TRPBF-DG
Description:
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Description détaillée:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventaire:
9118 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947335
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRF6662TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1360 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MZ
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MZ
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
253
Autres noms
2156-IRF6662TRPBF
INFIRFIRF6662TRPBF
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
PH1030DLSX
POWER MOS
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
PSMN2R8-40BS,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
