FDPF8N50NZU
Numéro de produit du fabricant:

FDPF8N50NZU

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDPF8N50NZU-DG

Description:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Description détaillée:
N-Channel 500 V 6.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

3821 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947343
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDPF8N50NZU Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UniFET-II™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
735 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
287
Autres noms
2156-FDPF8N50NZU
ONSONSFDPF8N50NZU

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
nxp-semiconductors

PSMN2R8-40BS,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

nxp-semiconductors

PMN30UNE115

NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN

fairchild-semiconductor

FDS6692A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

nxp-semiconductors

PHB110NQ08T,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK