IRF6646TRPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRF6646TRPBF

Product Overview

Fabricant:

International Rectifier

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF6646TRPBF-DG

Description:

IRF6646 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Description détaillée:
N-Channel 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN

Inventaire:

433574 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947182
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRF6646TRPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta), 68A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2060 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MN
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MN

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
217
Autres noms
2156-IRF6646TRPBF
INFIRFIRF6646TRPBF

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FDD5N50TM

4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE

onsemi

NTR3A085PZT1G

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF6613TRPBF

IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW

infineon-technologies

IPP80R1K2P7

IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN