IRF6613TRPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRF6613TRPBF

Product Overview

Fabricant:

International Rectifier

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF6613TRPBF-DG

Description:

IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Description détaillée:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

Inventaire:

22143 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947188
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRF6613TRPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5950 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MT
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MT

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
258
Autres noms
2156-IRF6613TRPBF
INFIRFIRF6613TRPBF

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IPP80R1K2P7

IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN

nxp-semiconductors

NX7002BKW115

NOW NEXPERIA NX7002BKW SMALL SIG

fairchild-semiconductor

FDPF10N50UT

MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

nxp-semiconductors

PMCM6501UNEZ

PMCM6501UNE - 20V, N-CHANNEL TRE