Numéro de produit du fabricant:
FDD5N50TM
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD5N50TM-DG
Description:
4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE
Description détaillée:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
2984 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947183
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SOUMETTRE
FDD5N50TM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
640 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
919
Autres noms
2156-FDD5N50TM
FAIFSCFDD5N50TM
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
NTR3A085PZT1G
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF6613TRPBF
IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
IPP80R1K2P7
IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN
