AUIRFU8405
Numéro de produit du fabricant:

AUIRFU8405

Product Overview

Fabricant:

International Rectifier

DiGi Electronics Numéro de pièce:

AUIRFU8405-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 163W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventaire:

510 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978354
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SOUMETTRE

AUIRFU8405 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.98mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5171 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
163W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
291
Autres noms
2156-AUIRFU8405
INFIRFAUIRFU8405

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
rohm-semi

SCT4036KEC11

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

nxp-semiconductors

BUK9609-75A,118

TRANSISTOR >30MHZ

goford-semiconductor

G30N02T

N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.

goford-semiconductor

G30N02T

MOSFET N-CH 20V 30A TO-220