Numéro de produit du fabricant:
BUK9609-75A,118
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK9609-75A,118-DG
Description:
TRANSISTOR >30MHZ
Description détaillée:
N-Channel 75 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
760 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978360
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SOUMETTRE
BUK9609-75A,118 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8840 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
230W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
202
Autres noms
2156-BUK9609-75A,118
NEXNXPBUK9609-75A,118
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
G30N02T
N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.
G30N02T
MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
G08P06D3
P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.