Numéro de produit du fabricant:
G30N02T
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G30N02T-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Description détaillée:
N-Channel 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
5000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978364
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SOUMETTRE
G30N02T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Vgs (max.)
±12V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
4822-G30N02T
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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